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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBUK9535-100A,127
NXP USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BUK9535-100A,127 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
BUK9535-100A,127
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-BUK9535-100A,127
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
BUK9535-100A,127.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 71480

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BUK9535-100A,127
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - BUK9535-100A,127, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - BUK9535-100A,127

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 34mOhm @ 25A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 149W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3573 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Tc)  

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Proprietà del prodotto BUK9535-100A,127 BUK9535-100A,127 BUK9529-100B BUK9540-100A
Modello di prodotti BUK9535-100A,127 BUK9535-100A,127 BUK9529-100B BUK9540-100A
fabbricante NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors LUMILEDS
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 34mOhm @ 25A, 10V 34mOhm @ 25A, 10V - -
Pacchetto Tube Tube - -
Dissipazione di potenza (max) 149W (Tc) 149W (Tc) - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3573 pF @ 25 V 3573 pF @ 25 V - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - -
Serie TrenchMOS™ TrenchMOS™ - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Tc) 41A (Tc) - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB - -
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Vgs (Max) ±10V ±10V - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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