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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBUK7Y9R9-80EX
NXP USA Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BUK7Y9R9-80EX - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
BUK7Y9R9-80EX
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-BUK7Y9R9-80EX
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANSISTOR >30MHZ
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-100, SOT-669
Scheda dati
BUK7Y9R9-80E.pdf
In magazzino: 4330

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BUK7Y9R9-80EX
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - BUK7Y9R9-80EX, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - BUK7Y9R9-80EX

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 98mOhm @ 5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 195W (Tc)  
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 498 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 89A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. BUK7Y9R9-80EX

Proprietà del prodotto BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80EX BUK7Y6R0-60EX BUK7Y7R6-40EX
Modello di prodotti BUK7Y9R9-80EX BUK7Y9R9-80EX BUK7Y6R0-60EX BUK7Y7R6-40EX
fabbricante NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA
Dissipazione di potenza (max) 195W (Tc) 195W (Tc) 195W (Tc) 94.3W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 80 V 60 V 40 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 89A (Tc) 89A (Tc) 100A (Tc) 79A (Tc)
Contenitore / involucro SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669
Contenitore dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 51.6 nC @ 10 V 51.6 nC @ 10 V 45.4 nC @ 10 V 26.2 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 498 pF @ 25 V 498 pF @ 25 V 4021 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 98mOhm @ 5A, 10V 98mOhm @ 5A, 10V 6mOhm @ 25A, 10V 7.6mOhm @ 20A, 10V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™

BUK7Y9R9-80EX Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BUK7Y9R9-80EX PDF e la documentazione NXP USA Inc. per BUK7Y9R9-80EX - NXP USA Inc..

Schede tecniche
BUK7Y9R9-80E.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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