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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-RFBFG425W,115
BFG425W,115 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BFG425W,115 - NXP USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
BFG425W,115
fabbricante
NXP Semiconductors
Allelco Modello di prodotti
32D-BFG425W,115
Modello ECAD
Descrizione delle parti
RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-82A, SOT-343
Scheda dati
BFG425W.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3980

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BFG425W,115
Specifiche tecniche NXP USA Inc. - BFG425W,115, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad NXP USA Inc. - BFG425W,115

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante NXP Semiconductors  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 4.5V  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore CMPAK-4  
Serie -  
Potenza - Max 135mW  
Contenitore / involucro SC-82A, SOT-343  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Di rumore (dB tip @ f) 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz  
Tipo montaggio Surface Mount  
Guadagno 20dB  
Frequenza - transizione 25GHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 2V  
Corrente - collettore (Ic) (max) 30mA  
Numero di prodotto di base BFG42  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di NXP USA Inc. BFG425W,115

Proprietà del prodotto BFG425W,115 BFG424W BFG424F+115 BFG520+215
Modello di prodotti BFG425W,115 BFG424W BFG424F+115 BFG520+215
fabbricante NXP USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors
Potenza - Max 135mW - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Guadagno 20dB - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 30mA - - -
Contenitore / involucro SC-82A, SOT-343 - - -
Contenitore dispositivo fornitore CMPAK-4 - - -
Numero di prodotto di base BFG42 - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 4.5V - - -
Tipo transistor NPN - - -
Serie - - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 2V - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Di rumore (dB tip @ f) 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz - - -
Frequenza - transizione 25GHz - - -

BFG425W,115 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BFG425W,115 PDF e la documentazione NXP USA Inc. per BFG425W,115 - NXP USA Inc..

Packaging PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf Date Code Extended 18/Jul/2013.pdf
Informazioni ambientali
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 05/Jul/2015.pdf
Schede tecniche
BFG425W.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BFG425W,115

NXP USA Inc.
32D-BFG425W,115

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