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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSSF7N60B
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSF7N60B - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SSF7N60B
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-SSF7N60B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3 Full Pack
Scheda dati
SSF7N60B.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5290

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SSF7N60B
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - SSF7N60B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - SSF7N60B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PF  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 86W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3 Full Pack  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor SSF7N60B

Proprietà del prodotto SSF7N60B SSF6908 SSF7N65F SSF7508
Modello di prodotti SSF7N60B SSF6908 SSF7N65F SSF7508
fabbricante Fairchild Semiconductor GOOD-ARK SILIKRON SILIKRON
Vgs (Max) ±30V - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Pacchetto Bulk - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A (Tc) - - -
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.7A, 10V - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V - - -
Tipo FET N-Channel - - -
Contenitore / involucro TO-3P-3 Full Pack - - -
Dissipazione di potenza (max) 86W (Tc) - - -
Tensione drain-source (Vdss) 600 V - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PF - - -
Tipo montaggio Through Hole - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V - - -
Serie - - - -

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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