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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSSD2007ATF
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SSD2007ATF - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SSD2007ATF
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-SSD2007ATF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SSD2007ATF.pdf
In magazzino: 87330

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SSD2007ATF
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - SSD2007ATF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - SSD2007ATF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SSD2007  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor SSD2007ATF

Proprietà del prodotto SSD2007ATF SSD2009ATF SSD2007ATF SSD2025
Modello di prodotti SSD2007ATF SSD2009ATF SSD2007ATF SSD2025
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild (onsemi)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Potenza - Max 2W 2W 2W -
Tensione drain-source (Vdss) 50V 50V 50V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A 3A 2A -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA -
Serie - - - -
Numero di prodotto di base SSD2007 SSD2009 SSD2007 -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 25nC @ 10V 15nC @ 10V -
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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