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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloSS9011HBU
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SS9011HBU - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SS9011HBU
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-SS9011HBU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 30V 0.03A TO92-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Scheda dati
SS9011HBU.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2286050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SS9011HBU
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - SS9011HBU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - SS9011HBU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3  
Serie -  
Potenza - Max 400 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 2MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 97 @ 1mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 30 mA  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor SS9011HBU

Proprietà del prodotto SS9011HBU SS9012HBU SS9014CBU SS9014ABU
Modello di prodotti SS9011HBU SS9012HBU SS9014CBU SS9014ABU
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 500nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 600mV @ 50mA, 500mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 100mA
Serie - - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 30 V 20 V 45 V 45 V
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Potenza - Max 400 mW 625 mW 450 mW 450 mW
Tipo transistor NPN PNP NPN NPN
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 97 @ 1mA, 5V 144 @ 50mA, 1V 200 @ 1mA, 5V 60 @ 1mA, 5V
Frequenza - transizione 2MHz - 270MHz 270MHz
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - collettore (Ic) (max) 30 mA 500 mA 100 mA 100 mA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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