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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI9426DY
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SI9426DY - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
SI9426DY
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-SI9426DY
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SI9426DY.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5030

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI9426DY
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - SI9426DY, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - SI9426DY

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor SI9426DY

Proprietà del prodotto SI9426DY SI9424BDY-T1-E3 SI9424DY SI9424DY
Modello di prodotti SI9426DY SI9424BDY-T1-E3 SI9424DY SI9424DY
fabbricante Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix onsemi Fairchild Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Ta) 5.6A (Ta) 8A (Ta) 8A (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±8V ±9V ±10V ±10V
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 1.25W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 850mV @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - TrenchFET® PowerTrench® PowerTrench®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 10 V - 2260 pF @ 10 V 2260 pF @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V 25mOhm @ 7.1A, 4.5V 24mOhm @ 8A, 4.5V 24mOhm @ 8A, 4.5V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V 33 nC @ 5 V 33 nC @ 5 V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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