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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFP8P05
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFP8P05 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RFP8P05
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-RFP8P05
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 50V 8A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
RFP8P05.pdf
In magazzino: 5240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RFP8P05
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - RFP8P05, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - RFP8P05

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 8A, 10V  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
Tipo montaggio Through Hole  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor RFP8P05

Proprietà del prodotto RFP8P05 RFP8P05 RFP70N06 RFP70N06
Modello di prodotti RFP8P05 RFP8P05 RFP70N06 RFP70N06
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Serie - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 8A, 10V 300mOhm @ 8A, 10V 14mOhm @ 70A, 10V 14mOhm @ 70A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 8A (Tc) 70A (Tc) 70A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 20 V 80 nC @ 20 V 156 nC @ 20 V 156 nC @ 20 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 50 V 50 V 60 V 60 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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