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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloRFP15N05L
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

RFP15N05L - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
RFP15N05L
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-RFP15N05L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
RFP15N05L.pdf
In magazzino: 43810

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche RFP15N05L
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - RFP15N05L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - RFP15N05L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 15A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor RFP15N05L

Proprietà del prodotto RFP15N05L RFP22N10 RFP14N05L RFP15N08L
Modello di prodotti RFP15N05L RFP22N10 RFP14N05L RFP15N08L
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Harris Corporation
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 22A (Tc) 14A (Tc) 15A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 50 V 100 V 50 V 80 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V - 670 pF @ 25 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 15A, 5V 80mOhm @ 22A, 10V 100mOhm @ 14A, 5V 140mOhm @ 7.5A, 5V
Serie - - - -
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) 100W (Tc) 48W (Tc) 72W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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