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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTR1P02LT1G
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTR1P02LT1G - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
NTR1P02LT1G
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-NTR1P02LT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
NTR1P02LT1G.pdf
In magazzino: 3700

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTR1P02LT1G
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - NTR1P02LT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - NTR1P02LT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 220mOhm @ 750mA, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 5 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor NTR1P02LT1G

Proprietà del prodotto NTR1P02LT1G NTR1P02LT3G NTR1P02LT1H NTR0202PLT1
Modello di prodotti NTR1P02LT1G NTR1P02LT3G NTR1P02LT1H NTR0202PLT1
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel - P-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V - 20 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4 V 5.5 nC @ 4 V - 2.18 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V - 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 1.25V @ 250µA 1.25V @ 250µA - 2.3V @ 250µA
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 220mOhm @ 750mA, 4.5V 220mOhm @ 750mA, 4.5V - 800mOhm @ 200mA, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) - SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±12V ±12V - ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 225 pF @ 5 V 225 pF @ 5 V - 70 pF @ 5 V
Dissipazione di potenza (max) 400mW (Ta) 400mW (Ta) - 225mW (Ta)
Serie - - * -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.3A (Ta) 1.3A (Ta) - 400mA (Ta)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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