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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNDS9953A
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NDS9953A - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
NDS9953A
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-NDS9953A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
P-CHANNEL POWER MOSFET
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NDS9953A.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 68980

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche NDS9953A
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - NDS9953A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - NDS9953A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2.8V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 10V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NDS995  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor NDS9953A

Proprietà del prodotto NDS9953A NDS9953A NDS9955 NDS9952A
Modello di prodotti NDS9953A NDS9953A NDS9955 NDS9952A
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Numero di prodotto di base NDS995 NDS995 NDS995 NDS995
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A 2.9A 3A 3.7A, 2.9A
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.8V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA 2.8V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 900mW 900mW 900mW 900mW
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (max) a Id, Vgs 130mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 80mOhm @ 1A, 10V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 50V 30V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 25nC @ 10V 30nC @ 10V 25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 10V 350pF @ 10V 345pF @ 25V 320pF @ 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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