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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNDS8934
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NDS8934 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
NDS8934
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-NDS8934
Modello ECAD
Descrizione delle parti
P-CHANNEL POWER MOSFET
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NDS8934.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 67980

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche NDS8934
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - NDS8934, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - NDS8934

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 3.8A, 4.5V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1120pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NDS893  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor NDS8934

Proprietà del prodotto NDS8934 NDS8934 NDS8936 NDS8936
Modello di prodotti NDS8934 NDS8934 NDS8936 NDS8936
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza - Max 900mW 900mW 900mW 900mW
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.8A 3.8A 5.3A 5.3A
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 30V 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1120pF @ 10V 1120pF @ 10V 720pF @ 15V 720pF @ 15V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.8V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V 30nC @ 4.5V 30nC @ 10V 30nC @ 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 3.8A, 4.5V 70mOhm @ 3.8A, 4.5V 35mOhm @ 5.3A, 10V 35mOhm @ 5.3A, 10V
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base NDS893 NDS893 NDS893 NDS893
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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