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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-RFKSC1674CYBU
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

KSC1674CYBU - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
KSC1674CYBU
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-KSC1674CYBU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Scheda dati
KSC1674CYBU.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2124650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche KSC1674CYBU
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - KSC1674CYBU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - KSC1674CYBU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 20V  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3  
Serie -  
Potenza - Max 250mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Di rumore (dB tip @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz  
Tipo montaggio Through Hole  
Guadagno -  
Frequenza - transizione 600MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V  
Corrente - collettore (Ic) (max) 20mA  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor KSC1674CYBU

Proprietà del prodotto KSC1674CYBU KSC1674CYTA KSC1730YTA KSC1674CYBU
Modello di prodotti KSC1674CYBU KSC1674CYTA KSC1730YTA KSC1674CYBU
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Frequenza - transizione 600MHz 600MHz 1.1GHz 600MHz
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 20V 20V 15V 20V
Serie - - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 20mA 20mA 50mA 20mA
Pacchetto Bulk Tape & Box (TB) Tape & Box (TB) Bulk
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 5mA, 10V 120 @ 1mA, 6V
Di rumore (dB tip @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz 3dB ~ 5dB @ 100MHz - 3dB ~ 5dB @ 100MHz
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN
Potenza - Max 250mW 250mW 250mW 250mW
Guadagno - - - -
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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