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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloKSA992FTA
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

KSA992FTA - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
KSA992FTA
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-KSA992FTA
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Scheda dati
KSA992FTA.pdf
In magazzino: 4880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche KSA992FTA
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - KSA992FTA, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - KSA992FTA

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 120 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3  
Serie -  
Potenza - Max 500 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 100MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 6V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 50 mA  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor KSA992FTA

Proprietà del prodotto KSA992FTA KSA928AYTA KSA992FBU KSA940H2TU
Modello di prodotti KSA992FTA KSA928AYTA KSA992FBU KSA940H2TU
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Frequenza - transizione 100MHz 120MHz 100MHz 4MHz
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-220-3
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA 100nA (ICBO) 1µA 10µA (ICBO)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 120 V 30 V 120 V 150 V
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 6V 160 @ 500mA, 2V 300 @ 1mA, 6V 40 @ 500mA, 10V
Potenza - Max 500 mW 1 W 500 mW 1.5 W
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-220-3
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 2V @ 30mA, 1.5A 300mV @ 1mA, 10mA 1.5V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor PNP PNP PNP PNP
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Tube
Corrente - collettore (Ic) (max) 50 mA 2 A 50 mA 1.5 A
Serie - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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