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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRF620B
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRF620B - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
IRF620B
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-IRF620B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
IRF620B.pdf
In magazzino: 4960

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche IRF620B
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - IRF620B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - IRF620B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor IRF620B

Proprietà del prodotto IRF620B IRF614STRRPBF IRF620STRLPBF IRF620
Modello di prodotti IRF620B IRF614STRRPBF IRF620STRLPBF IRF620
fabbricante Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix STMicroelectronics
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 D²PAK (TO-263) D2PAK TO-220
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 47W (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) 70W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 2.5A, 10V 2Ohm @ 1.6A, 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V 800mOhm @ 3A, 10V
Serie - - - PowerMESH™ II
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) 2.7A (Tc) 5.2A (Tc) 6A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 250 V 200 V 200 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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