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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUF75639G3
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUF75639G3 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
HUF75639G3
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-HUF75639G3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
HUF75639G3.pdf
In magazzino: 4990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HUF75639G3
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - HUF75639G3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - HUF75639G3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 56A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor HUF75639G3

Proprietà del prodotto HUF75639G3 HUF75639S3S HUF75637S3S HUF75637P3
Modello di prodotti HUF75639G3 HUF75639S3S HUF75637S3S HUF75637P3
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc) 56A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) 200W (Tc) 155W (Tc) 155W (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 20 V 130 nC @ 20 V 108 nC @ 20 V 108 nC @ 20 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 56A, 10V 25mOhm @ 56A, 10V 30mOhm @ 44A, 10V 30mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220-3

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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