Specifiche
Specifiche tecnologiche HGTD7N60C3S9A
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - HGTD7N60C3S9A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - HGTD7N60C3S9A
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| fabbricante |
Fairchild (onsemi) |
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| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) |
600 V |
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| Vce (on) (max) a VGE, Ic |
2V @ 15V, 7A |
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| Condizione di test |
- |
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| Td (on / off) @ 25 ° C |
- |
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| di scambio energetico |
165µJ (on), 600µJ (off) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
TO-252, (D-Pak) |
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| Serie |
- |
|
| Potenza - Max |
60 W |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| Contenitore / involucro |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Pacchetto |
Bulk |
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| temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
|
| Tipo montaggio |
Surface Mount |
|
| Tipo di ingresso |
Standard |
|
| Tipo IGBT |
- |
|
| carica gate |
23 nC |
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| Corrente - collettore Pulsed (Icm) |
56 A |
|
| Corrente - collettore (Ic) (max) |
14 A |
|
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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HGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorIGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
HGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AA
HGT1S7N60C3DS9AonsemiIGBT 600V 14A 60W TO263AB
HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)