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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQU2N60CTU
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQU2N60CTU - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FQU2N60CTU
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FQU2N60CTU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
FQU2N60CTU.pdf
In magazzino: 4790

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQU2N60CTU
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FQU2N60CTU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FQU2N60CTU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7Ohm @ 950mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FQU2N60CTU

Proprietà del prodotto FQU2N60CTU FQU2N50BTU FQU2N90TU FQU2N50BTU
Modello di prodotti FQU2N60CTU FQU2N50BTU FQU2N90TU FQU2N50BTU
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Tc) 1.6A (Tc) 1.7A (Tc) 1.6A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 500 V 900 V 500 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3.7V @ 250µA 5V @ 250µA 3.7V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7Ohm @ 950mA, 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V 7.2Ohm @ 850mA, 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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