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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQPF5N50
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQPF5N50 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FQPF5N50
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FQPF5N50
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
FQPF5N50.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 74980

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQPF5N50
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FQPF5N50, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FQPF5N50

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FQPF5N50

Proprietà del prodotto FQPF5N50 FQPF5N30 FQPF5N40 FQPF5N50C
Modello di prodotti FQPF5N50 FQPF5N30 FQPF5N40 FQPF5N50C
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 300 V 400 V 500 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 3.9A (Tc) 3A (Tc) 5A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc) 38W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 25 V 430 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Rds On (max) a Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.5A, 10V 900mOhm @ 1.95A, 10V 1.6Ohm @ 1.5A, 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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