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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP24N08
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQP24N08 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FQP24N08
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP24N08
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
FQP24N08.pdf
In magazzino: 5250

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP24N08
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FQP24N08, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FQP24N08

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 12A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)  

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Proprietà del prodotto FQP24N08 FQP2N30 FQP22N30 FQP24N08
Modello di prodotti FQP24N08 FQP2N30 FQP22N30 FQP24N08
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V 130 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 750 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc) 2.1A (Tc) 21A (Tc) 24A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 12A, 10V 3.7Ohm @ 1.05A, 10V 160mOhm @ 10.5A, 10V 60mOhm @ 12A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto Bulk Tube Bulk Tube
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 300 V 300 V 80 V
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) 40W (Tc) 170W (Tc) 75W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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