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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQI11P06TU
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQI11P06TU - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FQI11P06TU
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FQI11P06TU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
FQI11P06TU.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 99780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQI11P06TU
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FQI11P06TU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FQI11P06TU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 175mOhm @ 5.7A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 53W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.4A (Tc)  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FQI11P06TU

Proprietà del prodotto FQI11P06TU FQI12N60CTU FQI12N60TU FQI13N50CTU
Modello di prodotti FQI11P06TU FQI12N60CTU FQI12N60TU FQI13N50CTU
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 600 V 600 V 500 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 25 V 2290 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 175mOhm @ 5.7A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V 700mOhm @ 5.3A, 10V 480mOhm @ 6.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 53W (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) 195W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.4A (Tc) 12A (Tc) 10.5A (Tc) 13A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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