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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQD5N15TF
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQD5N15TF - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FQD5N15TF
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FQD5N15TF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FQD5N15TF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQD5N15TF
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FQD5N15TF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FQD5N15TF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 2.15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FQD5N15TF

Proprietà del prodotto FQD5N15TF FQD5N20TF FQD5N15TM FQD4P40TM
Modello di prodotti FQD5N15TF FQD5N20TF FQD5N15TM FQD4P40TM
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 800mOhm @ 2.15A, 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V 800mOhm @ 2.15A, 10V 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc) 3.8A (Tc) 4.3A (Tc) 2.7A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 200 V 150 V 400 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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