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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQD4N20TM
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQD4N20TM - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FQD4N20TM
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FQD4N20TM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FQD4N20TM.pdf
In magazzino: 172490

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQD4N20TM
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FQD4N20TM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FQD4N20TM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FQD4N20TM

Proprietà del prodotto FQD4N20TM FQD4N20TM FQD4N50TF FQD4N25TM
Modello di prodotti FQD4N20TM FQD4N20TM FQD4N50TF FQD4N25TM
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 500 V 250 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 3A (Tc) 2.6A (Tc) 3A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.5A, 10V 1.4Ohm @ 1.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V 1.75Ohm @ 1.5A, 10V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V 220 pF @ 25 V 460 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V 6.5 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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