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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQB27N25TM
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQB27N25TM - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FQB27N25TM
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FQB27N25TM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FQB27N25TM.pdf
In magazzino: 27190

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQB27N25TM
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FQB27N25TM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FQB27N25TM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 131mOhm @ 25.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 417W (Tj)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQB27  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FQB27N25TM

Proprietà del prodotto FQB27N25TM FQB2P25TM FQB2N60TM FQB25N33TM
Modello di prodotti FQB27N25TM FQB2P25TM FQB2N60TM FQB25N33TM
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 2010 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V 8.5 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 75 nC @ 15 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 131mOhm @ 25.5A, 10V 4Ohm @ 1.15A, 10V 4.7Ohm @ 1.2A, 10V 230mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Serie - QFET® QFET® QFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 417W (Tj) 3.13W (Ta), 52W (Tc) 3.13W (Ta), 64W (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25.5A (Tc) 2.3A (Tc) 2.4A (Tc) 25A (Tc)
Numero di prodotto di base FQB27 FQB2 FQB2 FQB2
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 250 V 600 V 330 V

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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