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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliFP7G100US60
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FP7G100US60 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FP7G100US60
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FP7G100US60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
EPM7
Scheda dati
FP7G100US60.pdf
In magazzino: 1327

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FP7G100US60
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FP7G100US60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FP7G100US60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.8V @ 15V, 100A  
Contenitore dispositivo fornitore EPM7  
Serie Power-SPM™  
Potenza - Max 400 W  
Contenitore / involucro EPM7  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC No  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6.085 nF @ 30 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT -  
Corrente - Cutoff collettore (max) 250 µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 A  
Configurazione Half Bridge  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FP7G100US60

Proprietà del prodotto FP7G100US60 FP7G100US60 FP7G75US60 FP7G50US60
Modello di prodotti FP7G100US60 FP7G100US60 FP7G75US60 FP7G50US60
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6.085 nF @ 30 V 6.085 nF @ 30 V 4.515 nF @ 30 V 2.92 nF @ 30 V
Serie Power-SPM™ Power-SPM™ Power-SPM™ Power-SPM™
Termistore NTC No No No No
Contenitore / involucro EPM7 EPM7 EPM7 EPM7
Corrente - Cutoff collettore (max) 250 µA 250 µA 250 µA 250 µA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.8V @ 15V, 100A 2.8V @ 15V, 100A 2.8V @ 15V, 75A 2.8V @ 15V, 50A
Ingresso Standard Standard Standard Standard
Potenza - Max 400 W 400 W 310 W 250 W
Configurazione Half Bridge Half Bridge Half Bridge Half Bridge
Contenitore dispositivo fornitore EPM7 EPM7 EPM7 EPM7
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 A 100 A 75 A 50 A
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tipo IGBT - - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V 600 V 600 V 600 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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