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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloFGB5N60UNDF
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FGB5N60UNDF - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FGB5N60UNDF
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FGB5N60UNDF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FGB5N60UNDF.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4020

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FGB5N60UNDF
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FGB5N60UNDF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FGB5N60UNDF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.4V @ 15V, 5A  
Condizione di test 400V, 5A, 10Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 5.4ns/25.4ns  
di scambio energetico 80µJ (on), 70µJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AB (D²PAK)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 35 ns  
Potenza - Max 73.5 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT NPT  
carica gate 12.1 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 15 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A  
Numero di prodotto di base FGB5N60  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FGB5N60UNDF

Proprietà del prodotto FGB5N60UNDF FGB30N6S2D FGB3440G2-F085 FGB7N60UNDF
Modello di prodotti FGB5N60UNDF FGB30N6S2D FGB3440G2-F085 FGB7N60UNDF
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V 600 V 400 V 600 V
Tipo IGBT NPT - - NPT
carica gate 12.1 nC 23 nC 24 nC 18 nC
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 15 A 108 A - 21 A
Pacchetto Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® -
di scambio energetico 80µJ (on), 70µJ (off) 55µJ (on), 100µJ (off) - 99µJ (on), 104µJ (off)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.4V @ 15V, 5A 2.5V @ 15V, 12A 1.2V @ 4V, 6A 2.3V @ 15V, 7A
Condizione di test 400V, 5A, 10Ohm, 15V 390V, 12A, 10Ohm, 15V - 400V, 7A, 10Ohm, 15V
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A 45 A 26.9 A 14 A
Tipo di ingresso Standard Standard Logic Standard
Tempo di ripristino inverso (trr) 35 ns 46 ns - 32.3 ns
Td (on / off) @ 25 ° C 5.4ns/25.4ns 6ns/40ns 1µs/5.3µs 5.9ns/32.3ns
Numero di prodotto di base FGB5N60 FGB3 FGB3440 FGB7N60
Potenza - Max 73.5 W 167 W 166 W 83 W
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AB (D²PAK) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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