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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDZ208P
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDZ208P - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDZ208P
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDZ208P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGA
Pacchetto
30-WFBGA
Scheda dati
FDZ208P.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 28202

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDZ208P
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDZ208P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDZ208P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 30-BGA (4x3.5)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta)  
Contenitore / involucro 30-WFBGA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2409 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDZ208P

Proprietà del prodotto FDZ208P FDZ204P FDZ208P FDZ206P
Modello di prodotti FDZ208P FDZ204P FDZ208P FDZ206P
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore 30-BGA (4x3.5) 9-BGA (2x2.1) 30-BGA (4x3.5) 30-BGA (4x3.5)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore / involucro 30-WFBGA 9-WFBGA 30-WFBGA 30-WFBGA
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 20 V
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta) 1.8W (Ta) 2.2W (Ta) 2.2W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 13 nC @ 4.5 V 35 nC @ 5 V 53 nC @ 4.5 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12.5A (Ta) 4.5A (Ta) 12.5A (Ta) 13A (Ta)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2409 pF @ 15 V 884 pF @ 10 V 2409 pF @ 15 V 4280 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±12V ±25V ±12V
Rds On (max) a Id, Vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V 45mOhm @ 4.5A, 4.5V 10.5mOhm @ 12.5A, 10V 9.5mOhm @ 13A, 4.5V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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