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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDW258P
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDW258P - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDW258P
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDW258P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati
FDW258P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 31202

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDW258P
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDW258P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDW258P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 9A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5049 pF @ 5 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDW258P

Proprietà del prodotto FDW258P FDW254PZ FDW254P FDW262P
Modello di prodotti FDW258P FDW254PZ FDW254P FDW262P
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 4.5 V 96 nC @ 4.5 V 96 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5049 pF @ 5 V 5880 pF @ 10 V 5878 pF @ 10 V 1193 pF @ 10 V
Contenitore / involucro 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) 9.2A (Ta) 9.2A (Ta) 4.5A (Ta)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta) 1.4W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 20 V 20 V 20 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 9A, 4.5V 12mOhm @ 9.2A, 4.5V 12mOhm @ 9.2A, 4.5V 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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