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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDU6N50TU
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDU6N50TU - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDU6N50TU
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDU6N50TU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
FDU6N50TU.pdf
In magazzino: 75280

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDU6N50TU
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDU6N50TU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDU6N50TU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie UniFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 89W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDU6N50TU

Proprietà del prodotto FDU6N50TU FDU6N50TU FDU7030BL FDU6688
Modello di prodotti FDU6N50TU FDU6N50TU FDU7030BL FDU6688
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 500 V 30 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 25 V 940 pF @ 25 V 1425 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Pacchetto Bulk Tube Tube Tube
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 89W (Tc) 89W (Tc) 2.8W (Ta), 60W (Tc) 83W (Ta)
Serie UniFET™ UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.6 nC @ 10 V 16.6 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V 56 nC @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 900mOhm @ 3A, 10V 900mOhm @ 3A, 10V 9.5mOhm @ 14A, 10V 5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 6A (Tc) 14A (Ta), 56A (Tc) 84A (Ta)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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