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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDS7766S
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDS7766S - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDS7766S
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS7766S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS7766S.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 12774

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS7766S
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDS7766S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDS7766S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.5mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4785 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDS7766S

Proprietà del prodotto FDS7766S FDS7788 FDS7764A FDS7779Z
Modello di prodotti FDS7766S FDS7788 FDS7764A FDS7779Z
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 40 nC @ 4.5 V 98 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta) 18A (Ta) 15A (Ta) 16A (Ta)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4785 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V 3451 pF @ 15 V 3800 pF @ 15 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (max) a Id, Vgs 5.5mOhm @ 17A, 10V 4mOhm @ 18A, 10V 7.5mOhm @ 15A, 4.5V 7.2mOhm @ 16A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±16V ±20V - ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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