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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDS7296N3
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDS7296N3 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDS7296N3
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS7296N3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS7296N3.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 33232

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS7296N3
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDS7296N3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDS7296N3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1540 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta)  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDS7296N3

Proprietà del prodotto FDS7296N3 FDS7288N3 FDS7760A FDS7760A
Modello di prodotti FDS7296N3 FDS7288N3 FDS7760A FDS7760A
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 55 nC @ 5 V 55 nC @ 5 V
Rds On (max) a Id, Vgs 8mOhm @ 15A, 10V 4.5mOhm @ 20.5A, 10V 5.5mOhm @ 15A, 10V 5.5mOhm @ 15A, 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta) 20A (Ta) 15A (Ta) 15A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO 8-SO FLMP 8-SOIC 8-SOIC
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1540 pF @ 15 V 3300 pF @ 15 V 3514 pF @ 15 V 3514 pF @ 15 V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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