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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDS6975
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDS6975 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDS6975
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS6975
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS6975.pdf
In magazzino: 4450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS6975
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDS6975, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDS6975

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1540pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDS69  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDS6975

Proprietà del prodotto FDS6975 FDS6961A FDS6975 FDS6982AS
Modello di prodotti FDS6975 FDS6961A FDS6975 FDS6982AS
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Numero di prodotto di base FDS69 FDS69 FDS69 FDS69
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A 3.5A 6A 6.3A, 8.6A
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Potenza - Max 900mW 900mW 900mW 900mW
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V 4nC @ 5V 20nC @ 5V 15nC @ 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1540pF @ 15V 220pF @ 15V 1540pF @ 15V 610pF @ 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V 90mOhm @ 3.5A, 10V 32mOhm @ 6A, 10V 28mOhm @ 6.3A, 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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