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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDS6690AS
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDS6690AS - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDS6690AS
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS6690AS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS6690AS.pdf
In magazzino: 5210

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS6690AS
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDS6690AS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDS6690AS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDS6690  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDS6690AS

Proprietà del prodotto FDS6690AS FDS6690S FDS6690AS FDS6692
Modello di prodotti FDS6690AS FDS6690S FDS6690AS FDS6692
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 1W (Ta) 2.5W (Ta) 1W (Ta)
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) 10A (Ta) 10A (Ta) 12A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 16 nC @ 5 V 23 nC @ 10 V 25 nC @ 5 V
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 15 V 1233 pF @ 15 V 910 pF @ 15 V 2164 pF @ 15 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base FDS6690 - FDS6690 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V 16mOhm @ 10A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 12mOhm @ 12A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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