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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDS6676AS
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
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FDS6676AS - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDS6676AS
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS6676AS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS6676AS.pdf
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS6676AS
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDS6676AS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDS6676AS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 14.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2510 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDS66  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDS6676AS

Proprietà del prodotto FDS6676AS FDS6676AS FDS6675A FDS6676
Modello di prodotti FDS6676AS FDS6676AS FDS6675A FDS6676
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 14.5A, 10V 6mOhm @ 14.5A, 10V 13mOhm @ 11A, 10V 7mOhm @ 14.5A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base FDS66 FDS66 - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 1W (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2510 pF @ 15 V 2510 pF @ 15 V 2330 pF @ 15 V 5103 pF @ 15 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 14.5A (Ta) 14.5A (Ta) 11A (Ta) 14.5A (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 34 nC @ 5 V 63 nC @ 5 V
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±16V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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