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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDS4897C
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FDS4897C - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDS4897C
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS4897C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS4897C.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4780

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS4897C
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDS4897C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDS4897C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 6.2A, 10V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 20V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A, 4.4A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base FDS4897  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Raggiungere lo stato
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDS4897C

Proprietà del prodotto FDS4897C FDS4897C FDS4935 FDS4935
Modello di prodotti FDS4897C FDS4897C FDS4935 FDS4935
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Potenza - Max 900mW 900mW 2W 2W
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A, 4.4A 6.2A, 4.4A 7A 7A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 20nC @ 10V 21nC @ 5V 21nC @ 5V
Tensione drain-source (Vdss) 40V 40V 30V 30V
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Numero di prodotto di base FDS4897 FDS4897 FDS49 FDS49
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 20V 760pF @ 20V 1233pF @ 15V 1233pF @ 15V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 29mOhm @ 6.2A, 10V 29mOhm @ 6.2A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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