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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDS4685
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDS4685 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDS4685
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS4685
Modello ECAD
Descrizione delle parti
40V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS4685 Datasheet.pdf
In magazzino: 4300

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS4685
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDS4685, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDS4685

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 27mOhm @ 8.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1872 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDS4685

Proprietà del prodotto FDS4685 FDS4672A FDS4672A FDS4770
Modello di prodotti FDS4685 FDS4672A FDS4672A FDS4770
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.2A (Ta) 11A (Ta) 11A (Ta) 13.2A (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (max) a Id, Vgs 27mOhm @ 8.2A, 10V 13mOhm @ 11A, 4.5V 13mOhm @ 11A, 4.5V 7.5mOhm @ 13.2A, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V 4.5V 10V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1872 pF @ 20 V 4766 pF @ 20 V 4766 pF @ 20 V 2819 pF @ 20 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 5 V 49 nC @ 4.5 V 49 nC @ 4.5 V 67 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDS4685 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDS4685 PDF e la documentazione Fairchild Semiconductor per FDS4685 - Fairchild Semiconductor.

Schede tecniche
FDS4685 Datasheet.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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