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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDS3570
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDS3570 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDS3570
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDS3570
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FDS3570.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 19153

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDS3570
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDS3570, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDS3570

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDS3570

Proprietà del prodotto FDS3570 FDS3580 FDS3580 FDS3170N7
Modello di prodotti FDS3570 FDS3580 FDS3580 FDS3170N7
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 3W (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 80 V 80 V 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) 7.6A (Ta) 7.6A (Ta) 6.7A (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V 29mOhm @ 7.6A, 10V 29mOhm @ 7.6A, 10V 26mOhm @ 6.7A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SO FLMP
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2750 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 2714 pF @ 50 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caratteristica FET - - - -
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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