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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDPF10N50UT
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDPF10N50UT - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDPF10N50UT
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDPF10N50UT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
FDPF10N50UT.pdf
In magazzino: 38830

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDPF10N50UT
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDPF10N50UT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDPF10N50UT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.05Ohm @ 4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDPF10N50UT

Proprietà del prodotto FDPF10N50UT FDPF10N60NZ FDPF12N35 FDPF10N50UT
Modello di prodotti FDPF10N50UT FDPF10N60NZ FDPF12N35 FDPF10N50UT
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 25 V 1475 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1130 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie UniFET™ UniFET-II™ UniFET™ UniFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc) 38W (Tc) 31.3W (Tc) 42W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Bulk Tube Tube
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V 350 V 500 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) 10A (Tc) 12A (Tc) 8A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.05Ohm @ 4A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 1.05Ohm @ 4A, 10V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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