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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDP75N08
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDP75N08 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDP75N08
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDP75N08
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
FDP75N08.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 43738

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDP75N08
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDP75N08, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDP75N08

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie UniFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 37.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 131W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4468 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDP75N08

Proprietà del prodotto FDP75N08 FDP7030BL FDP7N60NZ FDP75N08
Modello di prodotti FDP75N08 FDP7030BL FDP7N60NZ FDP75N08
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4468 pF @ 25 V 1760 pF @ 15 V 730 pF @ 25 V 4468 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 30 V 600 V 75 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V 24 nC @ 5 V 17 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V
Serie UniFET™ PowerTrench® UniFET-II™ UniFET™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 11mOhm @ 37.5A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 1.25Ohm @ 3.25A, 10V 11mOhm @ 37.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 131W (Tc) 60W (Tc) 147W (Tc) 131W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 60A (Ta) 6.5A (Tc) 75A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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