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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDN340P
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDN340P - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDN340P
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDN340P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
Die
Scheda dati
FDN340P.pdf
In magazzino: 5350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDN340P
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDN340P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDN340P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Die  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro Die  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDN340P

Proprietà del prodotto FDN340P FDN342P FDN340P FDN3401
Modello di prodotti FDN340P FDN342P FDN340P FDN3401
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor UMW Fairchild Semiconductor
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V 80mOhm @ 2A, 4.5V 70mOhm @ 2A, 4.5V -
Serie PowerTrench® PowerTrench® UMW *
Contenitore dispositivo fornitore Die SOT-23-3 SOT-23 -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
Contenitore / involucro Die TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 8 nC @ 4.5 V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1.1W (Ta) -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V 635 pF @ 10 V 600 pF @ 10 V -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 2A (Ta) 2A (Ta) -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±8V ±12V ±8V -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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