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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMS8558SDC
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMS8558SDC - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDMS8558SDC
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMS8558SDC
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 38A/90A 8PQFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMS8558SDC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4510

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMS8558SDC
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDMS8558SDC, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDMS8558SDC

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5mOhm @ 38A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 89W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5118 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Ta), 90A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDMS8558SDC

Proprietà del prodotto FDMS8558SDC FDMS86101 FDMS8558S FDMS8570S
Modello di prodotti FDMS8558SDC FDMS86101 FDMS8558S FDMS8570S
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5118 pF @ 13 V 3000 pF @ 50 V 5118 pF @ 13 V 2825 pF @ 13 V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 38A (Ta), 90A (Tc) 12.4A (Ta), 60A (Tc) 33A (Ta), 90A (Tc) 24A (Ta), 60A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±12V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5mOhm @ 38A, 10V 8mOhm @ 13A, 10V 1.5mOhm @ 33A, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 100 V 25 V 25 V
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 1mA 4V @ 250µA 2.2V @ 1mA 2.2V @ 1mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 425 nC @ 10 V

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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