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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDMD8260L
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMD8260L - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDMD8260L
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMD8260L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
12-PowerWDFN
Scheda dati
FDMD8260L.pdf
In magazzino: 26659

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMD8260L
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDMD8260L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDMD8260L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 12-Power3.3x5  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 12-PowerWDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5245pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDMD8260  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDMD8260L

Proprietà del prodotto FDMD8260L FDMC89521L FDME1023PZT FDMD8240L
Modello di prodotti FDMD8260L FDMC89521L FDME1023PZT FDMD8240L
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V 24nC @ 10V 7.7nC @ 4.5V 56nC @ 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 12-Power3.3x5 8-Power33 (3x3) 6-MicroFET (1.6x1.6) 12-Power3.3x5
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Numero di prodotto di base FDMD8260 FDMC89521 FDME1023 FDMD8240
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Contenitore / involucro 12-PowerWDFN 8-PowerWDFN 6-UFDFN Exposed Pad 12-PowerWDFN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 60V 20V 40V
Rds On (max) a Id, Vgs 5.8mOhm @ 15A, 10V 17mOhm @ 8.2A, 10V 142mOhm @ 2.3A, 4.5V 2.6mOhm @ 23A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A 8.2A (Ta) 2.6A 23A
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5245pF @ 30V 1635pF @ 30V 405pF @ 10V 4230pF @ 20V
Potenza - Max 1W 1.9W (Ta), 16W (Tc) 600mW 2.1W

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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