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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMC7570S
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMC7570S - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDMC7570S
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMC7570S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN
Scheda dati
FDMC7570S.pdf
In magazzino: 24628

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMC7570S
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDMC7570S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDMC7570S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore Power33  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 2mOhm @ 27A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 59W (Tc)  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4410 pF @ 13 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 40A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDMC7570S

Proprietà del prodotto FDMC7570S FDMC7582 FDMC7572S FDMC7570S
Modello di prodotti FDMC7570S FDMC7582 FDMC7572S FDMC7570S
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore Power33 Power33 Power33 Power33
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 2mOhm @ 27A, 10V 5mOhm @ 16.7A, 10V 3.15mOhm @ 22.5A, 10V 2mOhm @ 27A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2.3W (Ta), 59W (Tc) 2.3W (Ta), 52W (Tc) 2.3W (Ta), 52W (Tc) 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta), 40A (Tc) 16.7A (Ta), 49A (Tc) 22.5A (Ta), 40A (Tc) 27A (Ta), 40A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 2.5V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4410 pF @ 13 V 1795 pF @ 13 V 2705 pF @ 13 V 4410 pF @ 13 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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