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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMA520PZ
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMA520PZ - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDMA520PZ
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMA520PZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
FDMA520PZ.pdf
In magazzino: 4060

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMA520PZ
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDMA520PZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDMA520PZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 7.3A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.3A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDMA520PZ

Proprietà del prodotto FDMA520PZ FDMA507PZ FDMA430NZ FDMA420NZ
Modello di prodotti FDMA520PZ FDMA507PZ FDMA430NZ FDMA420NZ
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Contenitore dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 7.3A, 4.5V 24mOhm @ 7.8A, 5V 40mOhm @ 5A, 4.5V 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Vgs (Max) ±12V ±8V ±12V ±12V
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.3A (Ta) 7.8A (Ta) 5A (Ta) 5.7A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V 42 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 10 V 2015 pF @ 10 V 800 pF @ 10 V 935 pF @ 10 V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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