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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDMA1028NZ
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMA1028NZ - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDMA1028NZ
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMA1028NZ
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-VDFN Exposed Pad
Scheda dati
FDMA1028NZ.pdf
In magazzino: 74240

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMA1028NZ
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDMA1028NZ, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDMA1028NZ

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 68mOhm @ 3.7A, 4.5V  
Potenza - Max 700mW  
Contenitore / involucro 6-VDFN Exposed Pad  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FDMA1028  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDMA1028NZ

Proprietà del prodotto FDMA1028NZ FDMA2002NZ FDMA1024NZ FDMA1029PZ
Modello di prodotti FDMA1028NZ FDMA2002NZ FDMA1024NZ FDMA1029PZ
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Numero di prodotto di base FDMA1028 FDMA2002 FDMA1024 FDMA1029
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 10V 220pF @ 15V 500pF @ 10V 540pF @ 10V
Contenitore / involucro 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A 2.9A 5A 3.1A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Contenitore dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-WDFN (2x2)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Potenza - Max 700mW 650mW 700mW 700mW
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 20V 20V
Rds On (max) a Id, Vgs 68mOhm @ 3.7A, 4.5V 123mOhm @ 2.9A, 4.5V 54mOhm @ 5A, 4.5V 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V 7.3nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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