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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDFM2P110
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDFM2P110 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDFM2P110
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDFM2P110
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
FDFM2P110.pdf
In magazzino: 115810

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDFM2P110
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDFM2P110, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDFM2P110

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore MicroFET 3x3mm  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDFM2P110

Proprietà del prodotto FDFM2P110 FDFC2P100 FDFMA2P853 FDFMA2P029Z
Modello di prodotti FDFM2P110 FDFC2P100 FDFMA2P853 FDFMA2P029Z
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V 445 pF @ 10 V 435 pF @ 10 V 720 pF @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Contenitore dispositivo fornitore MicroFET 3x3mm SuperSOT™-6 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) 3A (Ta) 3A (Ta) 3.1A (Ta)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V ±12V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-VDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 3.5A, 4.5V 150mOhm @ 3A, 4.5V 120mOhm @ 3A, 4.5V 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA 1.5V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V 4.7 nC @ 10 V 6 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) 1.5W (Ta) 1.4W (Ta) 1.4W (Tj)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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