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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDD8880
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDD8880 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDD8880
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDD8880
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FDD8880.pdf
In magazzino: 4120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDD8880
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDD8880, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDD8880

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 58A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDD8880

Proprietà del prodotto FDD8880 FDD8882 FDD8878 FDD8882
Modello di prodotti FDD8880 FDD8882 FDD8878 FDD8882
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 58A (Tc) 12.6A (Ta), 55A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 12.6A (Ta), 55A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs 9mOhm @ 35A, 10V 11.5mOhm @ 35A, 10V 15mOhm @ 35A, 10V 11.5mOhm @ 35A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc) 55W (Tc) 40W (Tc) 55W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1260 pF @ 15 V 1260 pF @ 15 V 880 pF @ 15 V 1260 pF @ 15 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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