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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDD8874
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDD8874 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDD8874
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDD8874
Modello ECAD
Descrizione delle parti
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FDD8874.pdf
In magazzino: 50200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDD8874
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDD8874, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDD8874

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5.1mOhm @ 35A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 116A (Tc)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDD8874

Proprietà del prodotto FDD8874 FDD8870 FDD8874 FDD8870
Modello di prodotti FDD8874 FDD8870 FDD8874 FDD8870
fabbricante Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 118 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 118 nC @ 10 V
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 116A (Tc) 21A (Ta), 160A (Tc) 18A (Ta), 116A (Tc) 21A (Ta), 160A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 5.1mOhm @ 35A, 10V 3.9mOhm @ 35A, 10V 5.1mOhm @ 35A, 10V 3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) 160W (Tc) 110W (Tc) 160W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 15 V 5160 pF @ 15 V 2990 pF @ 15 V 5160 pF @ 15 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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