Specifiche
Specifiche tecnologiche FDD8453LZ_F085
Specifiche tecniche Fairchild/ON Semiconductor - FDD8453LZ_F085, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild/ON Semiconductor - FDD8453LZ_F085
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| fabbricante |
Fairchild (onsemi) |
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| Tensione - Prova |
3515pF @ 20V |
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| Tensione - Ripartizione |
D-PAK (TO-252AA) |
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| Vgs (th) (max) a Id |
6.7 mOhm @ 15A, 10V |
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| Vgs (Max) |
4.5V, 10V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Serie |
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
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| Stato RoHS |
Digi-Reel® |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
50A (Tc) |
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| Polarizzazione |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Altri nomi |
FDD8453LZ_F085DKR |
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| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| Livello di sensibilità umidità (MSL) |
1 (Unlimited) |
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| Produttore tempi di consegna standard |
13 Weeks |
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| codice articolo del costruttore |
FDD8453LZ_F085 |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
64nC @ 10V |
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| Tipo IGBT |
±20V |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
3V @ 250µA |
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| Caratteristica FET |
N-Channel |
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| Descrizione espansione |
N-Channel 40V 50A (Tc) 118W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
- |
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| Descrizione |
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK |
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| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
40V |
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| rapporto di capacità |
118W (Tc) |
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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FDD850N10LDonsemiMOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L
FDD8453VBsemi
FDD8451onsemiMOSFET N-CH 40V 9A/28A DPAK