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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDD6688
Fairchild Semiconductor
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDD6688 - Fairchild Semiconductor

fabbricante Modello di prodotti
FDD6688
fabbricante
Fairchild (onsemi)
Allelco Modello di prodotti
32D-FDD6688
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FDD6688.pdf
In magazzino: 23603

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FDD6688
Specifiche tecniche Fairchild Semiconductor - FDD6688, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Fairchild Semiconductor - FDD6688

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 18A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 83W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 84A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Fairchild Semiconductor FDD6688

Proprietà del prodotto FDD6688 FDD6690A FDD6680AS FDD6688S
Modello di prodotti FDD6688 FDD6690A FDD6680AS FDD6688S
fabbricante Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 18A, 10V 12mOhm @ 12A, 10V 10.5mOhm @ 12.5A, 10V 5.1mOhm @ 18.5A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V 1230 pF @ 15 V 1200 pF @ 15 V 3290 pF @ 15 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 84A (Ta) 12A (Ta), 46A (Tc) 55A (Ta) 88A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 29 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Dissipazione di potenza (max) 83W (Ta) 3.3W (Ta), 56W (Tc) 60W (Ta) 69W (Ta)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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